电子系罗主任邀请了华中科技大学范继博士进行学术交流，报告题目“键合技术在3D集成中的运用“。

时间：下周二（2015年4月21日）下午2点

地点：学院会议室

范继博士的详细情况及报告摘要见附件，欢迎各位参加。

键合技术在3D集成中的运用

摘要：

圆片级键合技术已成为现阶段提高微电子器件集成密度的关键技术之一，而低温键合可以防止高温退火引起的掺杂源扩散、金属引线性能退化、热应力和缺陷等问题。对扩散键合和硅熔键合两种键合方式的研究表明，只要表面处理得当，在低温下也能够得到较好的研究结果。键合气密性以及键合强度强度都能满足微电子器件圆片级封装以及3D集成的要求。运用扩散键合的方式完全能够实现MEMS器件与CMOS读取电路进行3D异构集成，这样就大大的增加了器件加工的兼容性以及集成密度。

报告人：

范继，男，1979年12月生，华中科技大学物理学院副研究员。2009年在法国利摩日大学获微电子学博士学位，并于同年在法国Xlim研究所开展博士后研究。2010年入职新加坡南洋理工大学进行博士后研究，2013年回国加入华中科技大学物理学院，现主持一项国家自然科学基金，参与科技部863计划课题一项。2005年起开始从事微纳机电系统、微纳技术的研究工作，开发MEMS-CMOS集成技术实现圆片级封装。现已发表各类论文30余 篇，其中三大检索共收录20 篇；并参与一部著作的编写工作。多次在国际会议上作大会报告，个人研究成果引起国际学术界的关注，其中于2011年发表在Journal of Micromechanics and Microengineering的文章被选为该期刊的年度最佳文章之一，多次受邀担任Journal of Micromechanics and Microengineering、ECS Journal of Solid State Science and Technology、Microelectronics Journal 等国际刊物的审稿人。