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物理与电子工程学院2018学术论坛之二十三
 
报告题目：后摩尔时代新器件研究——密度泛函理论模拟的应用与发展
 
报告人：姜向伟（中国科学院半导体研究所副研究员）
时间：2018年9月28日10:00-11:00
地点：理学实验楼718
 
内容简介：高性能、低功耗、高可靠是集成电路器件研究与产业应用的三大制高点，随着IC基本单元（半导体场效应晶体管）物理尺寸微缩至亚十纳米，新型低维半导体器件性能预测，晶体管超低功耗工作新原理，以及器件可靠性微观机制研究，迫切需要一种“自下而上”的原子尺度器件建模。密度泛函理论作为微观系统模拟最为精确的理论之一，预计将在后摩尔时代新器件研究中发挥重要的指导性作用，构成未来半导体计算机辅助设计技术（TCAD）核心，然而目前密度泛函理论囿于其计算复杂度，距离工业级别的器件模拟尚有较大距离，需发展可大规模扩展的密度泛函理论计算方法用于真实器件体系模拟。报告简述后摩尔时代新器件技术在性能、功耗和可靠性方面的要求，介绍密度泛函理论在小尺寸晶体管器件性能预测、新器件设计、低功耗晶体管原理及可靠性微观机理研究方面的应用，最后简介面向104原子及以上规模器件模拟的千万亿次密度泛函理论新发展。
 
个人简介：姜向伟，博士，中国科学院半导体研究所副研究员。2005年本科毕业于南京邮电大学光信息技术系，2010年博士毕业于中国科学院半导体研究所，凝聚态物理专业，半导体物理方向。2011年1月至今工作于中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室。研究方向为半导体物理与半导体器件物理，近年来在陡峭摆幅低功耗晶体管理论、微电子器件可靠性物理、半导体器件数值模拟方面取得系列进展，在包括IEDM, Nature Materials, Nature Communications, Phys. Rev. B, IEEE EDL等微电子顶级会议和学术期刊发表论文50篇，多次在微电子学国际学术会议做邀请报告，并任Technical Program Committee (TPC) member。目前承担国家安全重大基础研究计划、国家自然科学基金等科研项目5项，2016年入选中国科学院青年创新促进会。